A.與核外電子發(fā)生彈性碰撞飛
B.與核外電子發(fā)生非彈性碰撞
C.與原子核發(fā)生彈性碰撞
D.與原子核發(fā)生非彈性碰撞
E.與原子核發(fā)生核反應(yīng)
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A.主量子數(shù)
B.宇稱
C.軌道角動量量子數(shù)
D.軌道方向量子數(shù)
E.自旋量子數(shù)
A.經(jīng)驗(yàn)?zāi)P?br />
B.雙群模型
C.陣化擴(kuò)散方程模型
D.筆形束模型
E.“原射”和散射分量的分別計(jì)算
A.前者可考慮計(jì)算點(diǎn)位置不均勻組織的厚度,而后者可考慮計(jì)算點(diǎn)所在平面內(nèi)不均勻組織的實(shí)際形狀
B.前者可考慮、計(jì)算點(diǎn)所在平面內(nèi)不均勻組織的實(shí)際形狀,而后者可考慮計(jì)算點(diǎn)位置不均勻組織的厚度
C.前者可考慮計(jì)算點(diǎn)所在平面及相鄰層面內(nèi)不均勻組織的實(shí)際形狀,而后者可考慮計(jì)算點(diǎn)位置不均勻組織的厚度
D.前者可考慮計(jì)算點(diǎn)所在平面內(nèi)不均勻組織的實(shí)際形狀,而后者可考慮計(jì)算點(diǎn)所在平面及相鄰層面內(nèi)不均勻組織的實(shí)際形狀
E.前者可考慮計(jì)算點(diǎn)所在平面及相鄰層面內(nèi)不均勻組織的實(shí)際形狀,而后者可考慮計(jì)算點(diǎn)所在平面內(nèi)不均勻組織的實(shí)際形狀
A.0.6%
B.0.9%
C.1%
D.1.2%
E.1.7%
A.受到光子和次級電子通量改變的影響
B.原射線在該組織內(nèi)的衰減發(fā)生變化(后方)
C.不同介質(zhì)中該點(diǎn)的吸收劑量之比等于衰減吸收系數(shù)之比
D.次級電子通量的改變
E.靠近不同組織的邊界處由于組織的衰減不同而劑量會明顯增加
最新試題
帶電粒子與物質(zhì)的一次相互作用可以損失其能量的全部或很大一部分。
低LET射線照射哺乳動物細(xì)胞存活曲線在低劑量段有肩區(qū),提示()。
對重離子,線性碰撞本領(lǐng)是選擇組織替代材料的首要條件。
帶電粒子入射到物體時,沒有確定的射程。
質(zhì)子束的優(yōu)勢在于布拉格峰形百分深度劑量分布。
質(zhì)量保證和質(zhì)量控制的簡稱分別為QA、QC。
巴黎系統(tǒng)的插植規(guī)定所有的放射源的線比釋動能率相等。
等效射野指的是通過計(jì)算換算后的方形野。
電離室型劑量儀在每次測量前必需對氣溫和氣壓進(jìn)行修正。
巴黎系統(tǒng)規(guī)定臨床靶區(qū)的厚度T大于1.2cm 時,應(yīng)采用雙平面插植。