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問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】IGBT的應(yīng)用特點(diǎn)和選擇方法是什么？
答案：
I.GBT的開(kāi)通和關(guān)斷是由柵極電壓來(lái)控制的。柵極施以正電壓時(shí)，MOSFET內(nèi)形成溝道，從而使IGBT導(dǎo)通。在柵極上施以負(fù)...
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【簡(jiǎn)答題】說(shuō)明IGBT的結(jié)構(gòu)組成特點(diǎn)。
答案：
IGBT是一種新型復(fù)合器件。輸入部分為MOSFET，輸出部分為GTR，它綜合了MOSFET和GTR的優(yōu)點(diǎn)，具有輸入阻抗高...
問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】P-MOSFET的應(yīng)用特點(diǎn)和選擇方法是什么？
答案：
P.MOSFET的柵極是絕緣的，屬于電壓控制器件，因而輸入阻抗高，驅(qū)動(dòng)功率小，電路簡(jiǎn)單。為了正確的控制P-MOSFET的...
