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問答題 單相橋式全控整流電路，U₂=100V，負載中R_L=2Ω，L值極大，反電勢E=60V，當α=30°時，求：
（1）畫出u_d，i_d和i₂的波形；
（2）整流輸出平均電壓U_d、電流I_d及變壓器二次側電流有效值I₂；
（3）考慮安全裕量，確定晶閘管的額定電壓和額定電流。

（1）u_d，i_d和i₂的波形如下圖：

1.問答題 單相橋式全控整流電路，電阻性負載，U₂=220V，R_L=2Ω，α=30°，試計算
（1）輸出電壓U_d和輸出電流I_d；
（2）晶閘管額定電壓和額定電流。

（1）輸出電壓平均值為：

2.問答題具有續(xù)流二極管的單相半波可控整流電路，電感性負載，電阻為5Ω，電感為0.2H，電源電壓U₂為220V，直流平均電流為10A，試計算晶閘管和續(xù)流二極管的電流有效值，并指出其電壓定額。

由直流輸出電壓平均值U_d的關系式：

3.問答題用在降壓換流器中的一個MOSFET管的通態(tài)損耗是50W，開關損耗和頻率的關系是10^-3fs（w），頻率單位是Hz，結和外殼之間的熱阻R_θjc是1℃/W，結溫的最大值T_j·max是150℃，假設外殼的溫度是50℃，請估算最大開關頻率。

4.問答題求R_θ，rad，已知Ta=40℃，A=10cm²，以及Ts=80℃，100℃，140℃，并畫出其曲線圖。

5.問答題求R_θ·rad，已知Ts=120℃，A=10cm²，以及Ta=10℃，20℃，40℃，并畫出其曲線圖。

表面溫度為120度時，周圍環(huán)境溫度變化，導致輻射熱阻變化曲線如圖所示。

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