單項(xiàng)選擇題P－MOSFET的三個(gè)電極為（）。
A.G、S、D
B.G、S、K
C.G、D、K
D.A、K、D
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1.單項(xiàng)選擇題功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管簡(jiǎn)稱(chēng)為（）。
A.GTO
B.GTR
C.P－MOSFET
D.IGBT
2.單項(xiàng)選擇題電力晶體管簡(jiǎn)稱(chēng)為（）。
A.GTO
B.GTR
C.P－MOSFET
D.IGBT
3.單項(xiàng)選擇題可關(guān)斷晶閘管簡(jiǎn)稱(chēng)為（）。
A.GTO
B.GTR
C.P－MOSFET
D.IGBT
4.單項(xiàng)選擇題非隔離式電路中，具有升降壓調(diào)節(jié)功能的電路是（）。
A.BUCK電路
B.BOOST電路
C.CUK電路
D.正激電路
5.單項(xiàng)選擇題電力晶體管GTR從高電壓小電流向低電壓大電流躍變的現(xiàn)象稱(chēng)為（）。
A.一次擊穿
B.二次擊穿
C.臨界飽和
D.反向截止
最新試題
二極管外接正向電壓，P區(qū)應(yīng)接電源（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
本征半導(dǎo)體是（），導(dǎo)電能力弱。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
放大電路靜態(tài)工作點(diǎn)設(shè)置不妥當(dāng)，會(huì)產(chǎn)生飽和失真或截止失真。
題型：判斷題
從000一直到100這五個(gè)狀態(tài)是循環(huán)的，而且每來(lái)一個(gè)脈沖它就加一，很顯然它是一個(gè)（）加法計(jì)數(shù)器。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
現(xiàn)有58個(gè)信息等待用二進(jìn)制代碼進(jìn)行編碼，需要用8位二進(jìn)制代碼來(lái)表示。
題型：判斷題
反相比例運(yùn)算，放大倍數(shù)為5，輸入0.2v，輸出為（）v。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
清零端與脈沖信號(hào)的狀態(tài)無(wú)關(guān)，所以叫做同步清零。
題型：判斷題
如果用預(yù)置數(shù)法實(shí)現(xiàn)3秒倒計(jì)時(shí)，74LS192預(yù)置數(shù)端輸入應(yīng)該是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
使用中若IC大于ICM，即使晶體管不損壞，β也會(huì)下降。
題型：判斷題
下面哪個(gè)集成元件為四位二進(jìn)制超前進(jìn)位全加器（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題