單項選擇題SRAM和DRAM存儲原理不同，它們分別靠（）來存儲0和1的。
A.雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器的兩個穩(wěn)態(tài)和極間是否有足夠的電荷
B.內(nèi)部熔絲是否斷開和雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器
C.極間電荷和浮置柵是否積累足夠的電荷
D.極間是否有足夠的電荷和雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器的兩個穩(wěn)態(tài)
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1.單項選擇題掩膜ROM在制造時通過光刻是否連接MOS管來確定0和1，如果對應(yīng)的某存儲單元位沒有連接MOS管，則該位信息為（）。
A.不確定
B.0
C.1
D.可能為0，也可能為1
2.單項選擇題某一EPROM芯片，其容量為32K×8，除電源和地線外，最小的輸入引腳和輸出引腳分別為（）。
A.15和8
B.32和8
C.17和8
D.18和10
3.單項選擇題存儲周期指的是（）。
A.存儲器進行連續(xù)讀或?qū)懖僮魉试S的最短時間間隔
B.存儲器的讀出周期
C.存儲器進行連續(xù)寫操作所允許的最短時間間隔
D.存儲器的寫入周期
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