A.X射線能量越高衰減越少。
B.物質(zhì)的密度越大,X射線衰減越多。
C.物質(zhì)的每克電子數(shù)越多,X射線衰減越少。
D.物質(zhì)的厚度越厚,X射線衰減越少。
E.物質(zhì)的原子序數(shù)越高,X射線衰減越多。
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A.毫安秒
B.管電壓
C.靶原子序數(shù)
D.濾過(guò)
E.距離
A.X射線的量決定其硬度
B.可用X射線管的管電流與照射時(shí)間的乘積來(lái)間接反映X射線的量
C.X射線通過(guò)的附加濾過(guò)越厚,X射線的有效能量降低,線質(zhì)變軟
D.X射線管管電壓越高,其產(chǎn)生的X射線越硬
A.穿透作用
B.熒光作用
C.電離作用
D.熱作用
E.化學(xué)和生物效應(yīng)
A.管電流
B.管電壓
C.附加濾過(guò)
D.靶材料
E.管電壓波形
A.連續(xù)X射線的最大能量是80keV。
B.標(biāo)識(shí)X射線的最大能量是80keV。
C.產(chǎn)生的X射線絕大部分是標(biāo)識(shí)X射線。
D.僅有1%的電子能量以熱量的形式沉積在鎢靶中。
最新試題
I=3的磁性核在外磁場(chǎng)中取向種數(shù)為()
產(chǎn)生反射或投射的條件包括()
采用單回波SE序列對(duì)單層面進(jìn)行磁共振掃描時(shí),如果重復(fù)周期為T(mén)R,回波時(shí)間為T(mén)E,成像像素為NX×NY,則一次掃描時(shí)間為()
磁量子數(shù)取0的核具有如下特點(diǎn)()
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燈絲電流不變,增大管電壓,則管電流()
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