你可能感興趣的試題

單項(xiàng)選擇題

單晶直探頭接觸法檢測(cè)中，與探測(cè)面十分接近的缺陷往往不能有效地檢出，這是因?yàn)椋ǎ?/h4>

A.近場(chǎng)干擾
B.衰減
C.盲區(qū)
D.折射

單項(xiàng)選擇題

超聲波探頭對(duì)晶片要求，下列說法哪種是正確的（）。

A. 機(jī)電耦合系數(shù)K較大，以便獲得較高的轉(zhuǎn)換效率，壓電電壓常數(shù)g₃₃ 和壓電應(yīng)變常數(shù)d₃₃較大
B. 機(jī)械品質(zhì)因子θm 較小，以便獲得較高分辨力和較小的盲區(qū)
C. 頻率常數(shù)Nt較大，介電常數(shù)ε較小，以便獲得較高的頻率
D. 以上都是

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國產(chǎn)斜探頭上標(biāo)出的 K 值是針對(duì)檢測(cè)（）制工件而言的。

你可能感興趣的試題

單晶直探頭接觸法檢測(cè)中，與探測(cè)面十分接近的缺陷往往不能有效地檢出，這是因?yàn)椋ǎ?/h4>

超聲波探頭對(duì)晶片要求，下列說法哪種是正確的（）。

國產(chǎn)斜探頭上標(biāo)出的 K 值是針對(duì)檢測(cè)（）制工件而言的。

單晶直探頭接觸法檢測(cè)中，與探測(cè)面十分接近的缺陷往往不能有效地檢出，這是因?yàn)椋ǎ?/h4>

超聲波探頭對(duì)晶片要求，下列說法哪種是正確的（）。