A.1cm
B.2cm
C.5cm
D.10cm
E.100cm
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A.5KeV
B.10KeV
C.12KeV
D.15KeV
E.20KeV
A.高能X(γ)射線(xiàn)入射到人體或模體時(shí),在體表或皮下產(chǎn)生高能次級(jí)電子
B.雖然所產(chǎn)生的高能次級(jí)電子射程較短,但仍需穿過(guò)一定深度直至能量耗盡后停止
C.在最大電子射程內(nèi)高能次級(jí)電子產(chǎn)生的吸收劑量隨組織深度增加而增加
D.高能X(γ)射線(xiàn)隨組織深度增加,產(chǎn)生的高能次級(jí)電子減少
E.劑量建成區(qū)的形成實(shí)際是帶電粒子能量沉積過(guò)程
A.2~6MeV
B.6~10MeV
C.10~15MeV
D.15~20MeV
E.4~22MeV
A.物理手段不能夠有效地提高治療增益
B.物理手段能夠改善靶區(qū)與周?chē)=M織和器官的劑量分布
C.使治療區(qū)的形狀與靶區(qū)形狀一致,必須從兩維方向上進(jìn)行劑量分布的控制
D.“并行”組織的耐受劑量的大小不取決于受照射組織的范圍
E.腫瘤致死劑量與正常組織耐受劑量無(wú)差異
A.組織填充物
B.組織補(bǔ)償器
C.楔形板
D.射野擋塊
E.濾過(guò)板
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最新試題
射線(xiàn)能量越高,百分深度劑量隨射野面積的改變?cè)叫 ?/p>
質(zhì)子束的優(yōu)勢(shì)在于布拉格峰形百分深度劑量分布。
帶電粒子入射到物體時(shí),沒(méi)有確定的射程。
兩種不同深度處的百分深度劑量比值稱(chēng)為射線(xiàn)質(zhì)指數(shù)或能量指數(shù)。
質(zhì)量保證和質(zhì)量控制的簡(jiǎn)稱(chēng)分別為QA、QC。
源皮距越小,百分深度劑量越大。
巴黎系統(tǒng)的插植規(guī)定所有的放射源的線(xiàn)比釋動(dòng)能率相等。
隨能量增大,光電效應(yīng)發(fā)生的概率迅速減小。
“4R”描述的是影響腫瘤和正常組織的輻射生物效應(yīng)因素。
目前靶區(qū)劑量的精確性規(guī)定應(yīng)達(dá)到()。