A.源軸距
B.源皮距
C.射野中心軸
D.源瘤距
E.皮下
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A.1cm
B.1.5cm
C.2.5cm
D.0.5cm
E.2cm
A.臨床靶區(qū)內(nèi)所接受的最小劑量
B.腫瘤區(qū)內(nèi)所接受的最小劑量
C.治療區(qū)內(nèi)所接受的最小劑量
D.計(jì)劃靶區(qū)內(nèi)所接受的最小劑量
E.腫瘤區(qū)內(nèi)所接受的最大劑量
A.減少電離室桿效應(yīng)的影響
B.減少復(fù)合效應(yīng)的影響
C.減少漏電流
D.控制和減少電離室極化效應(yīng)
E.增加電離室的收集效率
A.主要使用多弧非共面聚焦照射技術(shù)
B.是一種特殊的全身外照射治療手段
C.可以是單次大劑量照射,也可以是分次照射
D.立體定位偏差應(yīng)小于±1mm,劑量偏差小于±5%
E.可以使用X射線,也可以使用γ射線、質(zhì)子束
A.步進(jìn)源系統(tǒng)的建立是以巴黎系統(tǒng)為基礎(chǔ)
B.布源規(guī)則不一定嚴(yán)格遵守巴黎系統(tǒng)
C.根據(jù)臨床靶區(qū)的幾何形狀確定放射源的排列放射和間距
D.放射源長(zhǎng)度可以與巴黎系統(tǒng)不同
E.采用優(yōu)化處理可消除高劑量區(qū)的存在
最新試題
兩種不同深度處的百分深度劑量比值稱為射線質(zhì)指數(shù)或能量指數(shù)。
巴黎系統(tǒng)規(guī)定臨床靶區(qū)的厚度T大于1.2cm 時(shí),應(yīng)采用雙平面插植。
巴黎系統(tǒng)的插植規(guī)定所有的放射源的線比釋動(dòng)能率相等。
質(zhì)子束的優(yōu)勢(shì)在于布拉格峰形百分深度劑量分布。
對(duì)鈷60機(jī)射野的對(duì)稱性和平坦度的檢查應(yīng)每月一次。
伽瑪?shù)栋悬c(diǎn)位置精度高于X射線立體定向治療系統(tǒng)的精度。
帶電粒子與物質(zhì)的一次相互作用可以損失其能量的全部或很大一部分。
影響靶點(diǎn)位置精確度的因素包括機(jī)械精度,定位精度和擺位精度。
半影為射野邊緣劑量隨離開中心軸距離增加而急劇變化的范圍。
實(shí)際患者治療時(shí),無環(huán)重定位技術(shù)的靶點(diǎn)位置總的治療精度稍劣于有環(huán)技術(shù)。