單項選擇題NEMOSFET飽和區(qū)的工作條件為uGS()Vt,uDS()uGS-Vt。

A.〉,〈
B.〉,〉
C.〈,〈
D.〈,〉


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1.單項選擇題?MOSFET中的導(dǎo)電溝道是指其()?

A.金屬層
B.耗盡層
C.反型層
D.氧化層