A.12±1
B.14±1
C.16±1
D.35±1
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A.12±1
B.14±1
C.16±1
D.35±1
A.熔接時(shí)間加長(zhǎng)
B.熔接損耗加大
C.熔接圖像不清晰
A.穿熱縮管、切割斷面、剝涂覆層并擦拭光纖、開(kāi)防風(fēng)蓋、將光纖放入V型槽、合上防風(fēng)蓋、開(kāi)始熔接
B.剝涂覆層并擦拭光纖、切割斷面、穿熱縮管、開(kāi)防風(fēng)蓋、將光纖放入V型槽、合上防風(fēng)蓋、開(kāi)始熔接
C.穿熱縮管、剝涂覆層并擦拭光纖、切割斷面、開(kāi)防風(fēng)蓋、將光纖放入V型槽、合上防風(fēng)蓋、開(kāi)始熔接
A.0.05
B.0.08
C.0.5
D.0.8
A.接頭盒罩
B.固定組件
C.接頭盒密封組件
D.余纖收容盤(pán)
最新試題
終端盒成端是將光纜固定在終端盒上，把外線(xiàn)光纜中的光纖與（）沒(méi)有連接器的一端相熔接，把余纖收容在終端盒的收容盤(pán)內(nèi)。
OTDR監(jiān)測(cè)光纖熔接損耗的三種主要方式是（）、（）和（）。
當(dāng)光波在一長(zhǎng)度為10km的光纖中傳輸時(shí)，若輸出端的光功率為輸入端光功率的一半，光纖的損耗系數(shù)是（）。
路由復(fù)測(cè)是以（）為依據(jù)，復(fù)核光纜路由的（）、敷設(shè)條件、預(yù)留位置、敷設(shè)環(huán)境以及（）的具體位置，復(fù)測(cè)路由的地面長(zhǎng)度等，為光纜的配盤(pán)、分屯以及敷設(shè)提供必要的條件。
介質(zhì)的折射率n與光在該介質(zhì)中的傳播速度v之間的關(guān)系是（）。
常規(guī)單模光纖在（）波長(zhǎng)下的色散為0，在（）波長(zhǎng)下的損耗最小。
光纖的兩個(gè)主要傳輸特性分別是（）和（），它們決定光纖通信系統(tǒng)的（）和（）。
目前用OTDR測(cè)量單模光纖，最常用的測(cè)試波長(zhǎng)是（）。
光纖的全稱(chēng)是（），石英光纖的主要材料是（）。
光纜線(xiàn)路的割接方式分為（）和（）兩大類(lèi)。