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每日一練
章節(jié)練習(xí)
集成電路工藝原理問答題每日一練(2020.06.02)
來源：考試資料網(wǎng)
1.問答題
硅錠直徑從20世紀(jì)50年代初期的不到25mm增加到現(xiàn)在的300mm甚至更大，其原因是什么？
參考答案：
（1）更大直徑硅片有更大的表面積做芯片，能夠減少硅片的浪費。
（2）每個硅片上有更多的芯片，每塊芯片的加工和處...
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2.問答題
版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么？
參考答案：
DRC：檢查版圖中同層、不同層間圖形的線寬、間距是否滿足工藝的最小尺寸要求。
ERC：檢查版圖中是否存在開路、短...
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3.問答題
什么是離子注入時的溝道效應(yīng)？列舉出三種控制溝道效應(yīng)的方法？
參考答案：
溝道效應(yīng)：單晶硅原子為長程有序排列，當(dāng)注入離子未與硅原子碰撞減速，而是穿透了晶格間隙時，就發(fā)生了溝道效應(yīng)，使預(yù)期的設(shè)計范...
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4.問答題
試畫出MOS器件跨導(dǎo)與源漏電壓的函數(shù)曲線。
參考答案：
5.問答題
IC制造中常采用什么方法形成金屬層？它的作用是什么？
參考答案：
金屬層的形成主要采用物理汽相沉積（Pysical Vapor Deposition，簡稱PVD）技術(shù)...
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