A.缺陷深度
B.信號(hào)脈沖的長(zhǎng)度
C.探頭中心間距
D.晶片尺寸
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A.嚴(yán)重影響缺陷高度的測(cè)量精度
B.嚴(yán)重影響V形坡口根部缺陷的檢出
C.只在非平行掃查中存在
D.只在平行掃查中存在
A.隨探頭折射角減小而減小，隨底面焊縫寬度的增大而增大
B.隨探頭折射角減小而增大，隨底面焊縫寬度增大而增大
C.隨探頭折射角減小而減小，隨探頭脈沖寬度減小而減小
D.隨探頭折射角減小而增大，隨探頭脈沖寬度減小而增大
A.探頭脈沖周期減少可以減小直通波盲區(qū)
B.如果PCS減小，則直通波盲區(qū)減小
C.增加探頭頻率可以減小直通波盲區(qū)
D.減小探頭晶片尺寸可以減小直通波盲區(qū)
A.近表面深度測(cè)量，時(shí)間上一個(gè)很小的誤差會(huì)給深度帶來(lái)很大的誤差
B.近表面深度測(cè)量，深度上一個(gè)很小的誤差會(huì)給時(shí)間帶來(lái)很大的誤差
C.減小探頭中心間距可以改善近表面區(qū)域的分辨力
D.增加探頭頻率可以改善近表面區(qū)域的分辨力
A.近表面深度分辨力不高
B.近表面信號(hào)淹沒(méi)在直通波內(nèi)導(dǎo)致漏檢
C.在進(jìn)行非平行掃查時(shí)底面存在盲區(qū)
D.在進(jìn)行平行掃查是底面存在盲區(qū)
最新試題
二次波檢測(cè)是一種特殊的檢測(cè)工藝，以下關(guān)于二次波檢測(cè)的做敘述，哪一條是錯(cuò)誤的（）
最容易發(fā)生康普頓效應(yīng)的射線能量為（）
發(fā)生康普頓散射的條件是（）
射線照片上細(xì)節(jié)影像的可識(shí)別性主要決定于（）
若評(píng)片燈亮度增為原來(lái)的兩倍，則底片透光度（It/I0）變?yōu)樵瓉?lái)的（）
通常所謂20KV的X射線是指（）
在筒身外壁做曲面周向探傷時(shí)（r、R為簡(jiǎn)體的內(nèi)、外徑），斜探頭（β為折射角）的臨界角應(yīng)滿足（）
調(diào)節(jié)掃描速度時(shí)，應(yīng)使（）同時(shí)對(duì)準(zhǔn)相應(yīng)的水平刻度值。
超聲波探頭上標(biāo)稱的頻率是（）
以下哪一種措施不能減小上表面盲區(qū)的影響（）