單項(xiàng)選擇題活度為80Ci，平均能量為0.66MeV的同位素源，經(jīng)過(guò)3個(gè)半衰期后，其平均能量為（）
A、0.08MeV
B、0.22MeV
C、0.33MeV
D、0.66MeV
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1.單項(xiàng)選擇題從給定射源發(fā)射的γ射線，通過(guò)物質(zhì)時(shí)引起的吸收取決于（）
A、物質(zhì)的原子序數(shù)，密度和厚度
B、物質(zhì)的楊氏模量
C、半衰期
D、放射源的比活度
2.單項(xiàng)選擇題當(dāng)射線波長(zhǎng)一定時(shí)，如果被穿透物質(zhì)的原子序數(shù)和密度越大，則衰減系數(shù)μ也越大，試指出下列哪種物質(zhì)的μ最大？（）
A、鐵
B、鋁
C、銅
D、鎂
3.單項(xiàng)選擇題當(dāng)射線通過(guò)厚度為X的物質(zhì)后，射線強(qiáng)度的衰減規(guī)律是：（）（式中：μ-線吸收系數(shù)[衰減系數(shù)]；e-自然對(duì)數(shù)的底；I0-射線原有的強(qiáng)度；I-射線通過(guò)物質(zhì)后的強(qiáng)度）
A、I=I0eμx
B、I=I0e-μx
C、I0=Ie-μx
D、I=I0e-2μx
4.單項(xiàng)選擇題假定同位素放射源發(fā)射單一波長(zhǎng)的γ射線，某時(shí)在離射源2米處測(cè)得其γ射線照射率，14天后同一時(shí)刻，再在離該源1.92米處測(cè)出其照射率與前同，則該源的半衰期為（）
A、118天
B、33天
C、75天
D、50天
5.單項(xiàng)選擇題銥192對(duì)鉛的半價(jià)層為（）
A、2.4cm
B、0.85cm
C、0.4cm
D、1.2mm
最新試題
關(guān)于圓晶片輻射的超聲波，下列說(shuō)法正確的是（）（S為傳播距離，N為近場(chǎng)長(zhǎng)度）。
題型：多項(xiàng)選擇題
選擇滲透探傷方法時(shí)，對(duì)于疲勞裂紋、磨削裂紋及其它微小裂紋應(yīng)優(yōu)先選用（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
關(guān)于近場(chǎng)長(zhǎng)度的說(shuō)法，正確的是（）
題型：多項(xiàng)選擇題
采用X射線機(jī)對(duì)某一工件探傷時(shí)，焦距為1m，曝光時(shí)間為6min，其余條件均不變，曝光時(shí)間改為3min時(shí)透照焦距應(yīng)改為（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
表征平面圓晶片發(fā)射的超聲束特征的主要是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
直射法探傷時(shí)試件的探測(cè)面應(yīng)選在與缺陷最大表面（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
射線照像底片產(chǎn)生黃色灰霧，其原因是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
關(guān)于超聲波斜入射，下列說(shuō)法正確的是（）
題型：多項(xiàng)選擇題
與直探頭相比，雙晶探頭（）
題型：多項(xiàng)選擇題
磁力線有哪些特征？
題型：?jiǎn)柎痤}