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填空題
a-Si太陽(yáng)能電池是由形成（）和負(fù)極的二個(gè)導(dǎo)電層、作為活性部分的半導(dǎo)體層這三層基本結(jié)構(gòu)構(gòu)成的
答案：正極
填空題
a-Si太陽(yáng)能電池是大面積制膜，但透明導(dǎo)電層的阻力引起的損失使電池?zé)o法得到（），因此有必要分割為復(fù)數(shù)電池片，再進(jìn)行電氣結(jié)合。
答案：高的效率
填空題
用乙烯作為碳來(lái)源時(shí)的硼添加引起的光導(dǎo)率的回升效果，發(fā)現(xiàn)其結(jié)果（）。
答案：很小
填空題
即使a-Si太陽(yáng)能電池的p層的厚度只有7nm，依然有（）的光被吸收，為了將此吸再降低，必須提高p層的（）。
答案：17%；透明度
填空題
為了嚴(yán)密地分析a-Si太陽(yáng)能電池的工作解析的話，必須要對(duì)（）三個(gè)量的非線性結(jié)合的電子及空穴輸送方程式同時(shí)進(jìn)行求解。
答案：n，p，Eb
填空題
Carlson等人利用二極管沒(méi)有的本征層顯示出的（），用白金的短鍵位勢(shì)壘在i層中形成擴(kuò)散電位，確認(rèn)了光電效應(yīng)。
答案：高光電導(dǎo)性
填空題
一般的太陽(yáng)能電池級(jí)試驗(yàn)材料，在初級(jí)階段，（110）有優(yōu)先配位性，結(jié)晶尺寸為（）左右，（）、正空穴漂移移動(dòng)度約為5cm/s.v左右。
答案：10~50nm；40%~60%
填空題
微晶硅的定義并不是那么固定的，在（）附近的低溫及非熱平衡過(guò)程中生長(zhǎng)，尺寸為由500nm以下的結(jié)晶粒群構(gòu)成的結(jié)晶，一般可以作為非晶不均質(zhì)混合材料。
答案：200℃
填空題
作為太陽(yáng)能電池材料的評(píng)價(jià)最有效的方法，叫（），有可能測(cè)定太陽(yáng)能電池在環(huán)境中的兩極性擴(kuò)散長(zhǎng)度。
答案：固定光柵法
填空題
從結(jié)晶的角度來(lái)講，在不介入聲波的（）中，動(dòng)量也就是波向k的守恒是必要條件。
答案：直接躍遷

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活性層為織構(gòu)化結(jié)構(gòu)的厚度最佳為（）時(shí)，1c㎡角的nip電池片得到了10.1%的效率。

你可能感興趣的試題

a-Si太陽(yáng)能電池是由形成（）和負(fù)極的二個(gè)導(dǎo)電層、作為活性部分的半導(dǎo)體層這三層基本結(jié)構(gòu)構(gòu)成的

a-Si太陽(yáng)能電池是大面積制膜，但透明導(dǎo)電層的阻力引起的損失使電池?zé)o法得到（），因此有必要分割為復(fù)數(shù)電池片，再進(jìn)行電氣結(jié)合。

用乙烯作為碳來(lái)源時(shí)的硼添加引起的光導(dǎo)率的回升效果，發(fā)現(xiàn)其結(jié)果（）。

即使a-Si太陽(yáng)能電池的p層的厚度只有7nm，依然有（）的光被吸收，為了將此吸再降低，必須提高p層的（）。

為了嚴(yán)密地分析a-Si太陽(yáng)能電池的工作解析的話，必須要對(duì)（）三個(gè)量的非線性結(jié)合的電子及空穴輸送方程式同時(shí)進(jìn)行求解。

Carlson等人利用二極管沒(méi)有的本征層顯示出的（），用白金的短鍵位勢(shì)壘在i層中形成擴(kuò)散電位，確認(rèn)了光電效應(yīng)。

一般的太陽(yáng)能電池級(jí)試驗(yàn)材料，在初級(jí)階段，（110）有優(yōu)先配位性，結(jié)晶尺寸為（）左右，（）、正空穴漂移移動(dòng)度約為5cm/s.v左右。

微晶硅的定義并不是那么固定的，在（）附近的低溫及非熱平衡過(guò)程中生長(zhǎng)，尺寸為由500nm以下的結(jié)晶粒群構(gòu)成的結(jié)晶，一般可以作為非晶不均質(zhì)混合材料。

作為太陽(yáng)能電池材料的評(píng)價(jià)最有效的方法，叫（），有可能測(cè)定太陽(yáng)能電池在環(huán)境中的兩極性擴(kuò)散長(zhǎng)度。

從結(jié)晶的角度來(lái)講，在不介入聲波的（）中，動(dòng)量也就是波向k的守恒是必要條件。

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活性層為織構(gòu)化結(jié)構(gòu)的厚度最佳為（）時(shí)，1c㎡角的nip電池片得到了10.1%的效率。

你可能感興趣的試題

a-Si太陽(yáng)能電池是由形成（）和負(fù)極的二個(gè)導(dǎo)電層、作為活性部分的半導(dǎo)體層這三層基本結(jié)構(gòu)構(gòu)成的

a-Si太陽(yáng)能電池是大面積制膜，但透明導(dǎo)電層的阻力引起的損失使電池?zé)o法得到（），因此有必要分割為復(fù)數(shù)電池片，再進(jìn)行電氣結(jié)合。

用乙烯作為碳來(lái)源時(shí)的硼添加引起的光導(dǎo)率的回升效果，發(fā)現(xiàn)其結(jié)果（）。

即使a-Si太陽(yáng)能電池的p層的厚度只有7nm，依然有（）的光被吸收，為了將此吸再降低，必須提高p層的（）。

為了嚴(yán)密地分析a-Si太陽(yáng)能電池的工作解析的話，必須要對(duì)（）三個(gè)量的非線性結(jié)合的電子及空穴輸送方程式同時(shí)進(jìn)行求解。

Carlson等人利用二極管沒(méi)有的本征層顯示出的（），用白金的短鍵位勢(shì)壘在i層中形成擴(kuò)散電位，確認(rèn)了光電效應(yīng)。

一般的太陽(yáng)能電池級(jí)試驗(yàn)材料，在初級(jí)階段，（110）有優(yōu)先配位性，結(jié)晶尺寸為（）左右，（）、正空穴漂移移動(dòng)度約為5cm/s.v左右。

微晶硅的定義并不是那么固定的，在（）附近的低溫及非熱平衡過(guò)程中生長(zhǎng)，尺寸為由500nm以下的結(jié)晶粒群構(gòu)成的結(jié)晶，一般可以作為非晶不均質(zhì)混合材料。

作為太陽(yáng)能電池材料的評(píng)價(jià)最有效的方法，叫（），有可能測(cè)定太陽(yáng)能電池在環(huán)境中的兩極性擴(kuò)散長(zhǎng)度。

從結(jié)晶的角度來(lái)講，在不介入聲波的（）中，動(dòng)量也就是波向k的守恒是必要條件。

活性層為織構(gòu)化結(jié)構(gòu)的厚度最佳為（）時(shí)，1c㎡角的nip電池片得到了10.1%的效率。

a-Si太陽(yáng)能電池是由形成（）和負(fù)極的二個(gè)導(dǎo)電層、作為活性部分的半導(dǎo)體層這三層基本結(jié)構(gòu)構(gòu)成的

a-Si太陽(yáng)能電池是大面積制膜，但透明導(dǎo)電層的阻力引起的損失使電池?zé)o法得到（），因此有必要分割為復(fù)數(shù)電池片，再進(jìn)行電氣結(jié)合。

用乙烯作為碳來(lái)源時(shí)的硼添加引起的光導(dǎo)率的回升效果，發(fā)現(xiàn)其結(jié)果（）。

即使a-Si太陽(yáng)能電池的p層的厚度只有7nm，依然有（）的光被吸收，為了將此吸再降低，必須提高p層的（）。

為了嚴(yán)密地分析a-Si太陽(yáng)能電池的工作解析的話，必須要對(duì)（）三個(gè)量的非線性結(jié)合的電子及空穴輸送方程式同時(shí)進(jìn)行求解。

Carlson等人利用二極管沒(méi)有的本征層顯示出的（），用白金的短鍵位勢(shì)壘在i層中形成擴(kuò)散電位，確認(rèn)了光電效應(yīng)。

一般的太陽(yáng)能電池級(jí)試驗(yàn)材料，在初級(jí)階段，（110）有優(yōu)先配位性，結(jié)晶尺寸為（）左右，（）、正空穴漂移移動(dòng)度約為5cm/s.v左右。

微晶硅的定義并不是那么固定的，在（）附近的低溫及非熱平衡過(guò)程中生長(zhǎng)，尺寸為由500nm以下的結(jié)晶粒群構(gòu)成的結(jié)晶，一般可以作為非晶不均質(zhì)混合材料。

作為太陽(yáng)能電池材料的評(píng)價(jià)最有效的方法，叫（），有可能測(cè)定太陽(yáng)能電池在環(huán)境中的兩極性擴(kuò)散長(zhǎng)度。

從結(jié)晶的角度來(lái)講，在不介入聲波的（）中，動(dòng)量也就是波向k的守恒是必要條件。