單項(xiàng)選擇題砌墻磚試驗(yàn)方法（GB/T2542-2003）標(biāo)準(zhǔn)中抗折強(qiáng)度試驗(yàn)的材料試驗(yàn)機(jī)預(yù)期最大破壞荷載應(yīng)在量程的（）之間。
A、10%～80%
B、20%～80%
C、10%～90%
D、20%～90%
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1.單項(xiàng)選擇題砌墻磚試驗(yàn)方法（GB/T2542-2003）標(biāo)準(zhǔn)中抗折強(qiáng)度試驗(yàn)的材料試驗(yàn)機(jī)示值相對誤差不大于（）。
A、±1%
B、±0.5%
C、±1.5%
D、±2%
2.單項(xiàng)選擇題砌墻磚試驗(yàn)方法（GB/T2542-2003）標(biāo)準(zhǔn)中裂紋長度以在三個(gè)方向上分別測得的（）作為測量結(jié)果。
A、最長裂紋
B、最短裂紋
C、裂紋長度平均值
D、裂紋長度總和
3.單項(xiàng)選擇題砌墻磚試驗(yàn)方法（GB/T2542-2003）標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定高度應(yīng)在磚的兩個(gè)（）的中間處分別測量兩個(gè)尺寸。當(dāng)被測處有缺損或凸出時(shí)，可在其旁邊測量，但應(yīng)選擇不利的一側(cè)。精確至（）。
A、大面1mm
B、條面1mm
C、大面0.5mm
D、條面0.5mm
4.單項(xiàng)選擇題砌墻磚試驗(yàn)方法（GB/T2542-2003）標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定寬度應(yīng)在磚的兩個(gè)（）的中間處分別測量兩個(gè)尺寸。當(dāng)被測處有缺損或凸出時(shí)，可在其旁邊測量，但應(yīng)選擇不利的一側(cè)。精確至（）。
A、大面.1mm
B、條面.1mm
C、大面.0.5mm
D、條面.0.5mm
5.單項(xiàng)選擇題砌墻磚試驗(yàn)方法（GB/T2542-2003）標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定長度應(yīng)在磚的兩個(gè)（）的中間處分別測量兩個(gè)尺寸。當(dāng)被測處有缺損或凸出時(shí)，可在其旁邊測量，但應(yīng)選擇不利的一側(cè)。精確至（）。
A、大面.1mm
B、條面.1mm
C、大面.0.5mm
D、條面.0.5mm
最新試題
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
硅片拋光在原理上不可分為（）
題型：單項(xiàng)選擇題
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
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多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
題型：單項(xiàng)選擇題
最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。
題型：單項(xiàng)選擇題
下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向（）
題型：單項(xiàng)選擇題
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
題型：單項(xiàng)選擇題
下列選項(xiàng)中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）
題型：單項(xiàng)選擇題
下列是晶體的是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題