單項選擇題下列是晶體的是（）。
A.玻璃
B.硅
C.松香
D.塑料
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1.單項選擇題只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
A.線缺陷
B.面缺陷
C.點缺陷
D.體缺陷
2.單項選擇題對于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。
A.非平衡載流子濃度成正比；
B.平衡載流子濃度成正比；
C.非平衡載流子濃度成反比；
D.平衡載流子濃度成反比。
3.單項選擇題在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。
A.纖鋅礦型；
B.閃鋅礦型；
C.六方對稱性；
D.立方對稱性
4.單項選擇題如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。
A.施主
B.受主
C.復(fù)合中心
D.兩性雜質(zhì)
5.單項選擇題雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）
A.變大，變小
B.變小，變大
C.變小，變小
D.變大，變大
最新試題
把磷化鎵在氮氣氛中退火，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（）。
題型：單項選擇題
用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
題型：單項選擇題
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）
題型：單項選擇題
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）
題型：單項選擇題
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）
題型：單項選擇題
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。
題型：單項選擇題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）
題型：單項選擇題
在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。
題型：單項選擇題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
題型：單項選擇題
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
題型：單項選擇題