A、燒結(jié)普通磚
B、燒結(jié)多孔磚和多孔砌塊
C、普通混凝土小型空心砌塊
D、輕集料混凝土小型空心砌塊
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A、15%
B、20%
C、25%
D、30%
A、30mm.20mm
B、30mm.25mm
C、25mm.20mm
D、25mm.10mm
A.390mm×190㎜×190mm
B.390㎜×240㎜×190㎜
C.490mmX370mmX370mm
D.370mmX240mmX240㎜
A、100mm×100mm×100mm.2組
B、100mm×100mm×100mm.3組
C、100mm×100mm×300mm.2組
D、100mm×100mm×400mm.2組
A、20±5
B、20±3
C、30±3
D、40±5
最新試題
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來(lái)的（）。
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括（）
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
下列選項(xiàng)中，對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是（）
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央，則它對(duì)電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶穑瑫?huì)有氮取代部分的磷，這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)（）。
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）