單項選擇題一塊半導體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。
A.1/4；
B.1/e；
C.1/e2；
D.1/2
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1.單項選擇題影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
A.①②④
B.②④⑤
C.①②④⑤
D.①②③④⑤
2.單項選擇題原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）
A.減小，減小
B.減小，增大
C.增大，增大
D.增大，減小
3.單項選擇題下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）
A.漂移遷移率
B.電導遷移率
C.霍爾遷移率
D.磁阻遷移率
4.單項選擇題下列哪個不是單晶常用的晶向（）
A.（100）
B.（001）
C.（111）
D.（110）
5.單項選擇題PN結(jié)的基本特性是（）
A.單向?qū)щ娦?br />
B.半導性
C.電流放大性
D.絕緣性
最新試題
下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）
題型：單項選擇題
用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
題型：單項選擇題
改良西門子法的顯著特點不包括（）
題型：單項選擇題
下列是晶體的是（）。
題型：單項選擇題
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）
題型：單項選擇題
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
題型：單項選擇題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）
題型：單項選擇題
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。
題型：單項選擇題
如在半導體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
題型：單項選擇題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）
題型：單項選擇題