A、試件拆模時(shí)間
B、試件移入標(biāo)準(zhǔn)養(yǎng)護(hù)室時(shí)間
C、拌合物攪拌加水時(shí)間
D、拌合物拌制完成時(shí)間
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A、溫度20±2℃、相對(duì)濕度95%以上的恒溫、恒濕環(huán)境
B、室內(nèi)陰涼場(chǎng)所
C、結(jié)構(gòu)或構(gòu)件鄰近區(qū)域砂堆中
D、遮陽(yáng)的屋檐下
A、溫度20±2℃、相對(duì)濕度95%以上的室內(nèi)
B、溫度20±2℃的不流動(dòng)的Ca(OH)2飽和溶液中
C、溫度20±2℃的清水中
D、溫度20±2℃的不流動(dòng)的醋酸溶液中
A、拌合物一次裝入試模
B、拌合物分兩層裝入試模
C、用橡皮錘輕輕敲擊試模四周,以消除之前步驟在表面留下的空洞
D、搗實(shí)器具拔出時(shí)要緩慢,拔出后不得留有孔洞
A、拌合物一次裝入試模
B、拌合物分兩層裝入試模
C、用橡皮錘輕輕敲擊試模四周,以消除之前步驟在表面留下的空洞
D、每層插搗次數(shù)按在10000mm2截面積內(nèi)不得少于12次
A、塌落擴(kuò)展度550mm
B、維勃稠度25s
C、塌落度40mm
D、塌落度140mm
最新試題
改良西門(mén)子法的顯著特點(diǎn)不包括()
下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量()
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類(lèi)和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長(zhǎng)過(guò)程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
對(duì)于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù),它與()。
可用作硅片的研磨材料是()
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?,?huì)有氮取代部分的磷,這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)()。
下列選項(xiàng)中,對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是()