單項選擇題與半導體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量（）
A、比半導體的大
B、比半導體的小
C、與半導體的相等
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1.單項選擇題表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時，該表面態(tài)為（）；
A、施主態(tài)
B、受主態(tài)
C、電中性
2.單項選擇題最有效的復合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。
A、EA，
B、ED，
C、EF，
D、Ei
3.單項選擇題載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流，漂移運動產(chǎn)生（）電流。
A、漂移
B、隧道
C、擴散
4.單項選擇題把磷化鎵在氮氣氛中退火，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（）。
A.改變禁帶寬度；
B.產(chǎn)生復合中心；
C.產(chǎn)生空穴陷阱；
D.產(chǎn)生等電子陷阱。
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制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
題型：單項選擇題
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）
題型：單項選擇題
下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）
題型：單項選擇題
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）
題型：單項選擇題
在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。
題型：單項選擇題
把磷化鎵在氮氣氛中退火，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（）。
題型：單項選擇題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重摻硅廢料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
題型：單項選擇題
雜質(zhì)半導體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中，當溫度升高時，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）
題型：單項選擇題
與半導體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量（）
題型：單項選擇題
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導體具有（）半導體的導電特性。
題型：單項選擇題