A、變形測(cè)量?jī)x應(yīng)安裝于試件一側(cè)
B、變形測(cè)量?jī)x應(yīng)安裝在垂直于試件承壓面的4條棱上
C、變形測(cè)量?jī)x應(yīng)安裝于試件兩側(cè)的中線上并對(duì)稱(chēng)于試件的兩端
D、變形測(cè)量?jī)x應(yīng)安裝于試件兩個(gè)承壓面上，承壓面應(yīng)預(yù)先開(kāi)好安裝槽
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A、每次試驗(yàn)應(yīng)制備6個(gè)試件
B、每次試驗(yàn)的6個(gè)試件，3個(gè)用于進(jìn)行軸心抗壓強(qiáng)度試驗(yàn)，另3個(gè)用于測(cè)定彈性模量
C、每次試驗(yàn)的6個(gè)試件都是用于測(cè)定彈性模量，因?yàn)闃?biāo)準(zhǔn)規(guī)定靜力受壓彈性模量試驗(yàn)是6個(gè)試件為一組
D、每次試驗(yàn)的6個(gè)試件，1個(gè)用于進(jìn)行軸心抗壓強(qiáng)度試驗(yàn)，另5個(gè)用于測(cè)定彈性模量
A、小于C60強(qiáng)度等級(jí)的100×100×300mm棱柱體試件為1.05
B、小于C60強(qiáng)度等級(jí)的100×100×300mm棱柱體試件為0.95
C、小于C60強(qiáng)度等級(jí)的200×200×400mm棱柱體試件為0.95
D、小于C60強(qiáng)度等級(jí)的200×200×400mm棱柱體試件為1.05
A、11.9MPa
B、21.1MPa
C、47.5MPa
D、45.1MPa
A、同組3個(gè)試件測(cè)值中，最大值和最小值與中間值的差值均超過(guò)中間值的15%時(shí)，該組試件的試驗(yàn)結(jié)果無(wú)效。
B、不總是能把同組3個(gè)試件測(cè)值的平均值作為該組試件的抗壓強(qiáng)度值。
C、同組3個(gè)試件測(cè)值中，若出現(xiàn)最大值或最小值與中間值的差值超過(guò)中間值的15%，則該組試件的試驗(yàn)結(jié)果無(wú)效。
D、同組3個(gè)試件測(cè)值中，最大值或最小值只要有1個(gè)且僅有1個(gè)與中間值的差值超過(guò)中間值的15%，就要把最大值和最小值一并舍除。
A、＜C30強(qiáng)度等級(jí)的砼加荷速度取每秒12.0～20.0kN
B、≥C30且＜C60強(qiáng)度等級(jí)的砼加荷速度取每秒20.0～32.0kN
C、≥C60強(qiáng)度等級(jí)的砼加荷速度取每秒32.0～40.0kN
D、C25級(jí)砼加荷速度取每秒0.3～0.5MPa
最新試題
表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí)，該表面態(tài)為（）；
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央，則它對(duì)電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí)，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過(guò)測(cè)量電學(xué)性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測(cè)器。
在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象稱(chēng)（）
在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門(mén)子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）
最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級(jí)位置在（）附近，常見(jiàn)的是少子陷阱。