A、小于C60強(qiáng)度等級(jí)的100×100×300mm棱柱體試件為1.05
B、小于C60強(qiáng)度等級(jí)的100×100×300mm棱柱體試件為0.95
C、小于C60強(qiáng)度等級(jí)的200×200×400mm棱柱體試件為0.95
D、小于C60強(qiáng)度等級(jí)的200×200×400mm棱柱體試件為1.05
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A、11.9MPa
B、21.1MPa
C、47.5MPa
D、45.1MPa
A、同組3個(gè)試件測(cè)值中，最大值和最小值與中間值的差值均超過(guò)中間值的15%時(shí)，該組試件的試驗(yàn)結(jié)果無(wú)效。
B、不總是能把同組3個(gè)試件測(cè)值的平均值作為該組試件的抗壓強(qiáng)度值。
C、同組3個(gè)試件測(cè)值中，若出現(xiàn)最大值或最小值與中間值的差值超過(guò)中間值的15%，則該組試件的試驗(yàn)結(jié)果無(wú)效。
D、同組3個(gè)試件測(cè)值中，最大值或最小值只要有1個(gè)且僅有1個(gè)與中間值的差值超過(guò)中間值的15%，就要把最大值和最小值一并舍除。
A、＜C30強(qiáng)度等級(jí)的砼加荷速度取每秒12.0～20.0kN
B、≥C30且＜C60強(qiáng)度等級(jí)的砼加荷速度取每秒20.0～32.0kN
C、≥C60強(qiáng)度等級(jí)的砼加荷速度取每秒32.0～40.0kN
D、C25級(jí)砼加荷速度取每秒0.3～0.5MPa
A、＜C30強(qiáng)度等級(jí)的砼加荷速度取每秒0.3～0.5MPa
B、≥C30且＜C60強(qiáng)度等級(jí)的砼加荷速度取每秒0.5～0.8MPa
C、≥C60強(qiáng)度等級(jí)的砼加荷速度取每秒0.8～1.0MPa
D、A、B、C選項(xiàng)都對(duì)
A、小于C60強(qiáng)度等級(jí)的100×100×100mm立方體試件為0.95
B、小于C60強(qiáng)度等級(jí)的200×200×200mm立方體試件為1.05
C、小于C60強(qiáng)度等級(jí)的Φ100×200圓柱體試件為0.95
D、不小于C60強(qiáng)度等級(jí)的砼應(yīng)由試驗(yàn)確定
最新試題
下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向（）
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括（）
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過(guò)測(cè)量電學(xué)性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測(cè)器。
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）
用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
硅片拋光在原理上不可分為（）
鑄造多晶硅中的氧主要來(lái)源不包括（）
最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級(jí)位置在（）附近，常見(jiàn)的是少子陷阱。
對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí)，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。