A、產(chǎn)品代號
B、預(yù)應(yīng)力鋼材直徑
C、預(yù)應(yīng)力鋼材等級
D、預(yù)應(yīng)力鋼材根數(shù)
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A、JYM
B、YJJ
C、YJM
D、BJM
A、多孔夾片錨具
B、墩頭錨具
C、螺母錨具
D、擠壓錨具
A、錐形錨具
B、墩頭錨具
C、壓花錨具
D、擠壓錨具
A、施工時(shí)使用錨下控制力
B、錨下控制力比錨外控制力小
C、兩者的差是錨頭損失
D、錨外控制力等于油壓值除預(yù)應(yīng)力筋的面積
A、錨具夾持部分鋼筋孔不直
B、構(gòu)件較短
C、預(yù)應(yīng)力筋的護(hù)套破損
D、錨環(huán)和夾頭硬度不夠
最新試題
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
表面態(tài)中性能級位于費(fèi)米能級以上時(shí)，該表面態(tài)為（）；
可用作硅片的研磨材料是（）
硅片拋光在原理上不可分為（）
屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）
PN結(jié)的基本特性是（）
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時(shí)，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是（）
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法