A、多孔夾片錨具
B、墩頭錨具
C、螺母錨具
D、擠壓錨具
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A、錐形錨具
B、墩頭錨具
C、壓花錨具
D、擠壓錨具
A、施工時(shí)使用錨下控制力
B、錨下控制力比錨外控制力小
C、兩者的差是錨頭損失
D、錨外控制力等于油壓值除預(yù)應(yīng)力筋的面積
A、錨具夾持部分鋼筋孔不直
B、構(gòu)件較短
C、預(yù)應(yīng)力筋的護(hù)套破損
D、錨環(huán)和夾頭硬度不夠
A、使用位移控制方式
B、雙向張拉
C、超張拉回松技術(shù)
D、內(nèi)固定端使用回縮量小的錨具
A、使預(yù)應(yīng)力筋與結(jié)構(gòu)混凝土結(jié)為一體
B、提高構(gòu)件的剛度
C、限定預(yù)應(yīng)力筋的位置
D、防止預(yù)應(yīng)力筋的腐蝕
最新試題
對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí)，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括（）
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。
在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。
硅片拋光在原理上不可分為（）
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長(zhǎng)過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央，則它對(duì)電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向（）
用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。