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用于亞0.25μm工藝的選擇性氧化的主要技術(shù)是淺槽隔離。
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傳統(tǒng)的0.25μm工藝以上的器件隔離方法是硅的局部氧化。
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氧化物有兩個(gè)生長(zhǎng)階段來(lái)描述,分別是線(xiàn)性階段和拋物線(xiàn)階段。
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