A.約40%
B.約4%
C.約0.4%
D.約0.04%
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A.LF21
B.LY11
C.LC6
D.LD10
A.低溫正火
B.高溫正火
C.高溫退火
D.等溫退火
A.高強(qiáng)度
B.高硬度
C.高耐磨性
D.高脆性
A.M+K
B.M+A+K
C.M回+A+K
D.S回+A+K
A.9SiCr
B.CrWMn
C.Cr12MoV
D.5CrMnMo
最新試題
最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。
在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。
對于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括（）
下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）