宁国都颈装饰工程有限公司

如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。

最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。

只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。 

CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）

用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。

制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）

下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）

改良西門子法的顯著特點不包括（）

原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）

對于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。