A、低于
B、等于或大于
C、大于
D、小于或等于
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A、位錯
B、層錯
C、肖特基缺陷
D、螺旋位錯
A、用能量小于禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)；
B、p、n區(qū)都產(chǎn)生電子—空穴對，產(chǎn)生平衡載流子；
C、平衡載流子破壞原來的熱平衡；
D、非平衡載流子在內(nèi)建電場作用下，n區(qū)空穴向p區(qū)擴散，p區(qū)電子向n區(qū)擴散；若p-n結(jié)開路，在結(jié)的兩邊積累電子—空穴對，產(chǎn)生開路電壓。
A、0.786nm
B、0.543nm
C、0.941nm
D、0.543nm
A、低于
B、等于或大于
C、大于
A、越高
B、不確定
C、越低
D、不變
最新試題
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導體具有（）半導體的導電特性。
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時，該表面態(tài)為（）；
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）
與半導體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量（）
光子傳感器是利用某些半導體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強弱。光子效應所制成的紅外探測器。
PN結(jié)的基本特性是（）
改良西門子法的顯著特點不包括（）
一塊半導體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。
在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱（）