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在通常情況下，GaN呈（）型結構。

那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）

對于同時存在一種施主雜質和一種受主雜質的均勻摻雜的非簡并半導體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導體具有（）半導體的導電特性。

制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）

改良西門子法的顯著特點不包括（）

表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時，該表面態(tài)為（）；

硅片拋光在原理上不可分為（）

鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）

屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）

載流子的擴散運動產生擴散電流，漂移運動產生（）電流。