單項選擇題載流子的擴散運動產生擴散電流，漂移運動產生（）電流。
A、漂移
B、隧道
C、擴散
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1.單項選擇題把磷化鎵在氮氣氛中退火，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（）。
A.改變禁帶寬度；
B.產生復合中心；
C.產生空穴陷阱；
D.產生等電子陷阱。
2.單項選擇題對于同時存在一種施主雜質和一種受主雜質的均勻摻雜的非簡并半導體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導體具有（）半導體的導電特性。
A.非本征
B.本征
3.單項選擇題一塊半導體壽命τ=15µs，光照在材料中會產生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。
A.1/4；
B.1/e；
C.1/e2；
D.1/2
4.單項選擇題影響單晶內雜質數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質的種類和含量；②雜質的分凝效應；③雜質的蒸發(fā)效應；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內雜質的沾污；⑤加入雜質量；
A.①②④
B.②④⑤
C.①②④⑤
D.①②③④⑤
5.單項選擇題原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）
A.減小，減小
B.減小，增大
C.增大，增大
D.增大，減小
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鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）
題型：單項選擇題
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