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熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）

鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）

把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?，?huì)有氮取代部分的磷，這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)（）。

下列選項(xiàng)中，對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是（）

制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）

表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí)，該表面態(tài)為（）；

雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時(shí)，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是（）

如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央，則它對(duì)電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。

鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）

那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）