單項選擇題鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）
A.頭尾料和鍋底料中含有的氧
B.晶體生長過程中硅熔體與石英坩堝作用引入的氧
C.石墨加熱器與坩堝反應引入的氧
D.外界空氣的進入
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1.單項選擇題制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
A.氧及其相關缺陷
B.參雜濃度
C.以間隙鐵為主的過渡族金屬雜質(zhì)
D.材料中的缺陷密度及其分布
2.單項選擇題改良西門子法的顯著特點不包括（）
A.高能耗
B.成本低
C.產(chǎn)量高
D.質(zhì)量穩(wěn)定
3.單項選擇題多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重摻硅廢料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
A、1234
B、123
C、2457
D、4567
4.單項選擇題直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）
A、6
B、2
C、4
D、5
5.單項選擇題那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
A、損壞
B、蒸發(fā)
C、坩堝污染
D、分凝
最新試題
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）
題型：單項選擇題
把磷化鎵在氮氣氛中退火，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（）。
題型：單項選擇題
下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）
題型：單項選擇題
用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應。
題型：單項選擇題
改良西門子法的顯著特點不包括（）
題型：單項選擇題
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）
題型：單項選擇題
如在半導體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
題型：單項選擇題
下列哪個不是單晶常用的晶向（）
題型：單項選擇題
最有效的復合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。
題型：單項選擇題
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導體具有（）半導體的導電特性。
題型：單項選擇題