填空題馬氏體的形態(tài)在兩種典型，即強(qiáng)度高而韌性差的（）和強(qiáng)度低而韌性高的（）.
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鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）
題型：單項(xiàng)選擇題
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱（）
題型：單項(xiàng)選擇題
下列選項(xiàng)中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）
題型：單項(xiàng)選擇題
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
題型：單項(xiàng)選擇題
下列哪一個(gè)遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）
題型：單項(xiàng)選擇題
表面態(tài)中性能級位于費(fèi)米能級以上時(shí)，該表面態(tài)為（）；
題型：單項(xiàng)選擇題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）
題型：單項(xiàng)選擇題
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）
題型：單項(xiàng)選擇題