單項(xiàng)選擇題扁頂法正式測(cè)試前，應(yīng)取預(yù)估破壞荷載的（）進(jìn)行加荷載測(cè)試。
A.5%
B.10%
C.15%
D.20%
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1.單項(xiàng)選擇題扁頂法使用手持應(yīng)變儀測(cè)量砌體變形讀數(shù)時(shí)，應(yīng)測(cè)量（），并應(yīng)取其平均值。
A.2次
B.3次
C.4次
D.6次
2.單項(xiàng)選擇題扁頂?shù)闹饕夹g(shù)指標(biāo)中極限壓力應(yīng)為（）。
A.380kN
B.400kN
C.450kN
D.480kN
3.單項(xiàng)選擇題扁頂法在選定墻體上開槽時(shí)，多孔磚砌體腳標(biāo)之間的距離應(yīng)相隔（）水平灰縫，宜取270-300mm。
A.3
B.4
C.5
D.6
4.單項(xiàng)選擇題扁頂法在選定墻體上開槽時(shí)，普通磚砌體腳標(biāo)之間的距離應(yīng)相隔（）水平灰縫，宜取250mm。
A.3
B.4
C.5
D.6
5.單項(xiàng)選擇題扁頂?shù)闹饕夹g(shù)指標(biāo)中額定壓力應(yīng)為（）。
A.350kN
B.380kN
C.400kN
D.480kN
最新試題
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí)，該表面態(tài)為（）；
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下列選項(xiàng)中，對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?，?huì)有氮取代部分的磷，這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）
題型：多項(xiàng)選擇題
對(duì)于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù)，它與（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央，則它對(duì)電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題