A.10-14mm
B.8-12mm
C.6-10mm
D.4-8mm
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A.200mm
B.220mm
C.240mm
D.280mm
A.使用手持應(yīng)變儀或千分表在腳標(biāo)上測量砌體變形的初讀數(shù)時(shí)，應(yīng)測量3次，并應(yīng)取其平均值
B.槽的四周應(yīng)清理平整，并應(yīng)除去灰渣
C.不用待讀數(shù)穩(wěn)定后再進(jìn)行下一步測試工作
D.開槽時(shí)不應(yīng)操作測點(diǎn)部位的墻體及變形測量腳標(biāo)
A.5皮磚
B.4皮磚
C.3皮磚
D.2皮磚
A.±1%
B.±2%
C.±3%
D.±4%
A.0.5m
B.1.0m
C.1.5m
D.2.0m
最新試題
最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱（）
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）
可用作硅片的研磨材料是（）
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；