A.200mm
B.220mm
C.240mm
D.280mm
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A.使用手持應(yīng)變儀或千分表在腳標(biāo)上測(cè)量砌體變形的初讀數(shù)時(shí)，應(yīng)測(cè)量3次，并應(yīng)取其平均值
B.槽的四周應(yīng)清理平整，并應(yīng)除去灰渣
C.不用待讀數(shù)穩(wěn)定后再進(jìn)行下一步測(cè)試工作
D.開(kāi)槽時(shí)不應(yīng)操作測(cè)點(diǎn)部位的墻體及變形測(cè)量腳標(biāo)
A.5皮磚
B.4皮磚
C.3皮磚
D.2皮磚
A.±1%
B.±2%
C.±3%
D.±4%
A.0.5m
B.1.0m
C.1.5m
D.2.0m
A.門(mén)、窗洞口側(cè)邊100mm范圍內(nèi)
B.門(mén)、窗洞口側(cè)邊110mm范圍內(nèi)
C.門(mén)、窗洞口側(cè)邊120mm范圍內(nèi)
D.門(mén)、窗洞口側(cè)邊130mm
最新試題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過(guò)程有幾個(gè)主要階段？（）
最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級(jí)位置在（）附近，常見(jiàn)的是少子陷阱。
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱(chēng)為（）。
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過(guò)測(cè)量電學(xué)性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測(cè)器。
表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí)，該表面態(tài)為（）；
在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象稱(chēng)（）
對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí)，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來(lái)的（）。
下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向（）