A、屈服強(qiáng)度
B、極限抗拉強(qiáng)度
C、伸長(zhǎng)率
D、冷彎性能
E、抗壓強(qiáng)度
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A、塊體與砂漿的強(qiáng)度等級(jí)
B、砌塊的尺寸和形狀
C、砌體的外觀
D、砂漿的流動(dòng)性、保水性及彈性模量的影響
E、砌筑質(zhì)量與灰縫的厚度
A、高強(qiáng)度
B、低收縮
C、慢硬、晚強(qiáng)
D、除變小
A.試件兩端的灰縫應(yīng)清理干凈
B.開鑿清理過程中,嚴(yán)禁擾動(dòng)試件
C.發(fā)現(xiàn)被推磚塊有明顯缺棱掉角或上、下灰縫有松動(dòng)現(xiàn)象時(shí),應(yīng)舍去該試件
D.被推磚的承壓面應(yīng)平整,不平時(shí)應(yīng)用扁砂輪等工具磨平
A.門、窗洞口側(cè)邊120mm范圍內(nèi)
B.后補(bǔ)的施工洞口和經(jīng)修補(bǔ)的砌體
C.獨(dú)立磚柱
D.完整墻體中部
A.洞口側(cè)邊距丁字相交的墻角不小于200mm
B.洞口凈寬度不應(yīng)超過lm
C.洞口頂宜設(shè)置過梁
D.洞口側(cè)邊設(shè)置拉結(jié)筋
E.在抗震設(shè)防9度的地區(qū),必須與設(shè)計(jì)協(xié)商
最新試題
可用作硅片的研磨材料是()
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象稱()
對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí),半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí),該表面態(tài)為();
對(duì)于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù),它與()。
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級(jí)位置在()附近,常見的是少子陷阱。
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括()
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()