A.試件兩端的灰縫應(yīng)清理干凈
B.開鑿清理過程中,嚴(yán)禁擾動(dòng)試件
C.發(fā)現(xiàn)被推磚塊有明顯缺棱掉角或上、下灰縫有松動(dòng)現(xiàn)象時(shí),應(yīng)舍去該試件
D.被推磚的承壓面應(yīng)平整,不平時(shí)應(yīng)用扁砂輪等工具磨平
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A.門、窗洞口側(cè)邊120mm范圍內(nèi)
B.后補(bǔ)的施工洞口和經(jīng)修補(bǔ)的砌體
C.獨(dú)立磚柱
D.完整墻體中部
A.洞口側(cè)邊距丁字相交的墻角不小于200mm
B.洞口凈寬度不應(yīng)超過lm
C.洞口頂宜設(shè)置過梁
D.洞口側(cè)邊設(shè)置拉結(jié)筋
E.在抗震設(shè)防9度的地區(qū),必須與設(shè)計(jì)協(xié)商
A.測(cè)區(qū)應(yīng)隨機(jī)布置n個(gè)測(cè)點(diǎn),對(duì)原位單磚雙剪法,在墻體兩面的測(cè)點(diǎn)數(shù)量宜接近或相等
B.同一墻體的各測(cè)點(diǎn)之間,水平方向凈距不應(yīng)小于1.5m,垂直方向凈距不應(yīng)小于0.5m,且不應(yīng)在同一水平位置或縱向位置
C.門、窗洞口側(cè)邊120mm范圍內(nèi)
D.試件兩個(gè)受剪面的水平灰縫厚度應(yīng)為8mm~12mm
A.加荷時(shí)應(yīng)勻速施加水平荷載,并應(yīng)控制試件在3min~6min內(nèi)破壞
B.當(dāng)試件沿受剪面滑動(dòng)、千斤頂開始卸荷時(shí),應(yīng)判定試件達(dá)到破壞狀態(tài)
C.應(yīng)記錄破壞荷載值,并應(yīng)結(jié)束測(cè)試
D.應(yīng)在預(yù)定剪切面(灰縫)破壞,測(cè)試有效
A.燒結(jié)普通磚
B.燒結(jié)空心磚
C.燒結(jié)多孔磚
D.灰砂磚
E.粉煤灰磚
最新試題
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流,漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生()電流。
硅片拋光在原理上不可分為()
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
下列選項(xiàng)中,對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是()
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是()。
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時(shí),電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是()
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()