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對于同時存在一種施主雜質和一種受主雜質的均勻摻雜的非簡并半導體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導體具有（）半導體的導電特性。

鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）

表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時，該表面態(tài)為（）；

原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）

最有效的復合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。

如果雜質既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質稱為（）。

熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）

只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。 

下列哪個不是單晶常用的晶向（）

影響單晶內雜質數量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質的種類和含量；②雜質的分凝效應；③雜質的蒸發(fā)效應；④生長過程中坩堝或系統內雜質的沾污；⑤加入雜質量；