單項(xiàng)選擇題?已知某NMOS器件的Vt=1V，k′n（W/L）=1mA/V2，VA=50V，且工作點(diǎn)電流ID=0.5mA，則其小信號(hào)模型參數(shù)gm=（）mA/V，ro=（）kΩ。
A.1，100
B.0.5，50
C.1，50
D.2，100
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1.單項(xiàng)選擇題
電路如圖所示，要使得晶體管工作在飽和區(qū)，且有ID=0.4mA，VD=0.5V；已知該NMOS晶體管的Vt=0.7V，L=1μm，W=32μm，k′n=100μA/V2，忽略溝道長(zhǎng)度調(diào)制效應(yīng)，則電阻RS=（）kΩ，RD=（）kΩ。
A.5，3.25
B.4，6
C.3，7
D.3.25，5
2.單項(xiàng)選擇題?在CMOS集成電路設(shè)計(jì)中，NMOS的襯底應(yīng)接在電路的（）電位，PMOS的襯底應(yīng)接在電路的（）電位。
A.最高，最高
B.最高，最低
C.最低，最高
D.最低，最低
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當(dāng)VGS=0時(shí)，能夠?qū)ǖ腗OS管為（）
題型：多項(xiàng)選擇題
?數(shù)字頻率計(jì)采用4個(gè)數(shù)字的BCD碼計(jì)數(shù)器，若采樣時(shí)間0.01s，那么它能夠測(cè)量的最大頻率是多少？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
假設(shè)NEMOSFET已工作在飽和區(qū)，若uDS繼續(xù)增大時(shí)，溝道夾斷點(diǎn)向漏極移動(dòng)。
題型：判斷題
?CG放大器的性能描述合理的是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
?5.1K±5%歐姆的五環(huán)電阻的色環(huán)序列為（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題