單項(xiàng)選擇題
電路如圖所示，要使得晶體管工作在飽和區(qū)，且有ID=0.4mA，VD=0.5V；已知該NMOS晶體管的Vt=0.7V，L=1μm，W=32μm，k′n=100μA/V2，忽略溝道長度調(diào)制效應(yīng)，則電阻RS=（）kΩ，RD=（）kΩ。
A.5，3.25
B.4，6
C.3，7
D.3.25，5
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1.單項(xiàng)選擇題?在CMOS集成電路設(shè)計(jì)中，NMOS的襯底應(yīng)接在電路的（）電位，PMOS的襯底應(yīng)接在電路的（）電位。
A.最高，最高
B.最高，最低
C.最低，最高
D.最低，最低
2.單項(xiàng)選擇題?某放大電路在負(fù)載開路時(shí)，測得輸出電壓為5V，在輸入電壓不變的情況下接入3kΩ的負(fù)載電阻，輸出電壓下降到3V，說明該放大電路的輸出電阻為（）kΩ。?
A.1
B.2
C.3
D.4
最新試題
已知某N溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管的。下表給出了四種狀態(tài)下和的值，那么各狀態(tài)下器件的工作狀態(tài)為（）。
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?若某放大器的輸入信號為電壓信號，輸出信號為電流信號，則以下描述正確的有（）。?
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當(dāng)VGS=0時(shí)，能夠?qū)ǖ腗OS管為（）
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一塊通用面包板，公共條是三?四?三分段連通型，那么這塊板上最多有（）個(gè)插孔在內(nèi)部是連通在一起的。
題型：單項(xiàng)選擇題
假設(shè)NEMOSFET已工作在飽和區(qū)，若uDS繼續(xù)增大時(shí)，溝道夾斷點(diǎn)向漏極移動(dòng)。
題型：判斷題