如圖10-78所示，一個(gè)圓柱形電容器中有兩層同軸圓柱形均勻電介質(zhì)，內(nèi)導(dǎo)體半徑R1=1cm，外導(dǎo)體半徑R3=4cm，內(nèi)層介質(zhì)介電系數(shù)為ε1，厚度為1cm，外層介質(zhì)介電系數(shù)為ε2，厚度為2cm，內(nèi)外層導(dǎo)體間的電位差為1000V（以外導(dǎo)體為參考點(diǎn)）。假如兩層電介質(zhì)內(nèi)最大電場強(qiáng)度相等，則外層2介質(zhì)上的電位差為（）V。
A.333.3
B.666.7
C.500
D.1000
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已知圖10-77中電容器極板間的距離為d，極板面積為S，ε1介質(zhì)厚度為d／2，則該電容器的電容應(yīng)為（）。
A.ε0S／d
B.[（ε0+ε1）／ε0ε1]2S／d
C.[ε0ε1／（ε0+ε1）]2S／d
D.ε1／d
如圖10-76所示，圖中平板電容器的上部空間填充介電系數(shù)為ε0的介質(zhì)，所對應(yīng)的極板面積為S0，下部介質(zhì)的介電系數(shù)為ε1，所對應(yīng)的極板面積為S1，極板的間距為d，該電容器的電容量為（）。
A.ε0+ε1）S1／d
B.ε0S0／d+ε1S1／d
C.ε0S0／d
D.ε1S1／d
A.2εS／d
B.εS／d
C.d／2εS
D.d／εs
如圖10-75所不，兩無限大平行帶電平板，它們帶面密度為σ的異號電荷，兩板間填充介電系數(shù)為ε的介質(zhì)。這兩個(gè)帶電平板間的電場強(qiáng)度和兩板間的電壓U分別為（）。
A.σ／3ε，σ／2εd
B.σ／ε）eX，σd／ε
C.σ／3ε，σ／3εd
D.σ／2ε）eX，σd／2ε
如圖10-74所示，真空中有一無限大帶電平板，其上電荷密度為σ，在與其相距x的A點(diǎn)處電場強(qiáng)度為（）。
A.σ／2ε0）eX
B.σ／ε0
C.σ／ε0）x2
D.σ／ε0）eX
最新試題
如圖10-78所示，一個(gè)圓柱形電容器中有兩層同軸圓柱形均勻電介質(zhì)，內(nèi)導(dǎo)體半徑R1=1cm，外導(dǎo)體半徑R3=4cm，內(nèi)層介質(zhì)介電系數(shù)為ε1，厚度為1cm，外層介質(zhì)介電系數(shù)為ε2，厚度為2cm，內(nèi)外層導(dǎo)體間的電位差為1000V（以外導(dǎo)體為參考點(diǎn)）。假如兩層電介質(zhì)內(nèi)最大電場強(qiáng)度相等，則外層2介質(zhì)上的電位差為（）V。
真空中有一個(gè)半徑為a的均勻帶電球，其電荷體密度為ρ，帶電球內(nèi)的電場為（）。
均勻傳輸線的原參數(shù)：R0=6．5Ω／km，L0=2．29mH／km，C0=5．22×103pF／km，C0=0．5×10-6S／km，則傳輸線在頻率為1000Hz時(shí)的傳播速度v+、波長λ分別為（）。
在圖10-61所示電路中，開關(guān)S在t=0瞬間閉合，則i2（0+）=（）A。
在平行板電容器中，有兩層導(dǎo)電媒質(zhì)（圖10-81），它們的電導(dǎo)率分別是γ1=1×10-9S／m，γ2=1×10-8S／m，極板面積S=0．66m2，每層介質(zhì)厚度d=0．6cm，則電容器的漏電導(dǎo)G=（）S。
真空中有一個(gè)半徑為a的金屬球，其電容為（）。
如圖10-71，半徑為a，電荷線密度ρ（r）為常數(shù)的均勻帶電圓環(huán)在軸線上的電場強(qiáng)度為（）。
圖10-63所示電路u（0-）=0V，uC2（0-）=10V，當(dāng)t圖10-63題10-110圖=0時(shí)閉合開關(guān)S后，uC2應(yīng)為（）V。以上各式中τ=2us。
如圖10-74所示，真空中有一無限大帶電平板，其上電荷密度為σ，在與其相距x的A點(diǎn)處電場強(qiáng)度為（）。
真空中有一載流I=500A的無限長直導(dǎo)線（圖10-84），距該導(dǎo)線1m的A點(diǎn)處的磁感應(yīng)強(qiáng)度B的大小為（）T。