A、兩磨一燒
B、一磨兩燒
C、兩磨兩燒
D、三磨一燒
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A、硬度
B、強(qiáng)度
C、韌性
D、脆性
A、日用瓷
B、建筑瓷
C、硅酸鹽陶瓷
D、結(jié)構(gòu)陶瓷
A、硼酸鹽玻璃
B、硅酸鹽玻璃
C、金屬玻璃
D、硒玻璃
A、水硬性膠凝材料
B、非水硬性膠凝材料
C、氣硬性膠凝材料
D、水泥
A、原料的破碎
B、粉體制備
C、烘干
D、高溫?zé)崽幚?/p>
最新試題
表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí)，該表面態(tài)為（）；
最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級(jí)位置在（）附近，常見的是少子陷阱。
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?，?huì)有氮取代部分的磷，這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)（）。
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時(shí)，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是（）
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）
在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長(zhǎng)過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法