A、鎂質(zhì)原料
B、氧化鋰
C、硝酸鈉
D、氫氧化鈉
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A、SiO2
B、CaO
C、Al2O3
D、MgO
A、長石類原料
B、氧化鋰類原料
C、純堿
D、芒硝
A、降低陶瓷產(chǎn)品的燒成溫度
B、抑制莫來石晶體的形成和長大
C、提高產(chǎn)品的機械強度
D、提高介電性能
A、能提供游離氧使玻璃結構中的O/Si比值增加
B、降低玻璃黏度
C、是良好的助熔劑
D、降低玻璃的熱膨脹系數(shù)
A、Al2O3>16%，F(xiàn)e2O3<0.3%
B、Al2O3>16%，F(xiàn)e2O3<0.4%
C、Al2O3>25%，F(xiàn)e2O3<0.4%
D、Al2O3>25%，F(xiàn)e2O3<0.3%
最新試題
在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱（）
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重摻硅廢料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
雜質(zhì)半導體中的載流子輸運過程的散射機構中，當溫度升高時，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）
下列哪個不是單晶常用的晶向（）
如在半導體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時，該表面態(tài)為（）；
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導體具有（）半導體的導電特性。