A、6
B、2
C、4
D、5
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你可能感興趣的試題
A、損壞
B、蒸發(fā)
C、坩堝污染
D、分凝
A、加料—縮頸生長—熔化—放肩生長—等徑生長—尾部生長
B、加料—熔化—縮頸生長—等徑生長—放肩生長—尾部生長
C、加料—熔化—等徑生長—放肩生長—縮頸生長—尾部生長
D、加料—熔化—縮頸生長—放肩生長—等徑生長—尾部生長
A、低于
B、等于或大于
C、大于
D、小于或等于
A、位錯
B、層錯
C、肖特基缺陷
D、螺旋位錯
A、用能量小于禁帶寬度的光子照射p-n結(jié);
B、p、n區(qū)都產(chǎn)生電子—空穴對,產(chǎn)生平衡載流子;
C、平衡載流子破壞原來的熱平衡;
D、非平衡載流子在內(nèi)建電場作用下,n區(qū)空穴向p區(qū)擴散,p區(qū)電子向n區(qū)擴散;若p-n結(jié)開路,在結(jié)的兩邊積累電子—空穴對,產(chǎn)生開路電壓。
最新試題
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段?()
把磷化鎵在氮氣氛中退火,會有氮取代部分的磷,這會在磷化鎵中出現(xiàn)()。
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括()
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
如在半導體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導體具有()半導體的導電特性。
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
下列是晶體的是()。
下列選項中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()