單項選擇題池窯的工藝制度中不包括（）。
A、溫度制度
B、氣氛的影響
C、液面制度
D、配合料
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1.單項選擇題影響耐火材料侵蝕介質(zhì)的種類沒有下面的哪一種（）。
A、氣體
B、配合料
C、玻璃液
D、配合料和玻璃料的揮發(fā)物
2.單項選擇題按照水和物料結(jié)合的強弱，物料中的水分可以分為三類，其中不包括（）。
A、化學(xué)結(jié)合水
B、物理化學(xué)結(jié)合水
C、物理結(jié)合水
D、機械結(jié)合水
3.單項選擇題壓制法成型有三種加壓方式，其中不包括下面的哪一種（）。
A、單面加壓
B、雙面同時加壓
C、雙面先后加壓
D、雙面都不加壓
4.單項選擇題配合料一般制備與加工的工藝為：（）
A、烘干—破碎—配料—成型
B、破碎—烘干—配料—成型
C、配料—破碎—烘干—成型
D、成型—烘干—破碎—配料
5.單項選擇題玻璃結(jié)構(gòu)是指玻璃中質(zhì)點在空間的幾何配制、有序程度以及它們間的結(jié)合狀態(tài)。玻璃結(jié)構(gòu)可分為三種尺度來討論：其中（）的尺度為亞微結(jié)構(gòu)范圍。
A、0.2—1nm
B、1—3nm
C、3—幾百nm
D、微米以上
最新試題
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）
題型：單項選擇題
下列哪個不是單晶常用的晶向（）
題型：單項選擇題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
題型：單項選擇題
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
題型：單項選擇題
在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。
題型：單項選擇題
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
題型：單項選擇題
把磷化鎵在氮氣氛中退火，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（）。
題型：單項選擇題
硅片拋光在原理上不可分為（）
題型：單項選擇題
下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）
題型：單項選擇題
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）
題型：單項選擇題