單項(xiàng)選擇題壓制法成型有三種加壓方式，其中不包括下面的哪一種（）。
A、單面加壓
B、雙面同時(shí)加壓
C、雙面先后加壓
D、雙面都不加壓
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.單項(xiàng)選擇題配合料一般制備與加工的工藝為：（）
A、烘干—破碎—配料—成型
B、破碎—烘干—配料—成型
C、配料—破碎—烘干—成型
D、成型—烘干—破碎—配料
2.單項(xiàng)選擇題玻璃結(jié)構(gòu)是指玻璃中質(zhì)點(diǎn)在空間的幾何配制、有序程度以及它們間的結(jié)合狀態(tài)。玻璃結(jié)構(gòu)可分為三種尺度來討論：其中（）的尺度為亞微結(jié)構(gòu)范圍。
A、0.2—1nm
B、1—3nm
C、3—幾百nm
D、微米以上
3.單項(xiàng)選擇題在水泥熟料中四個(gè)主要氧化物中，下邊哪個(gè)為（）堿性氧化物。
A、CaO
B、Al2O3
C、Fe2O3
D、SiO2
4.單項(xiàng)選擇題硅酸鹽水泥熟料由C2S、C3S、C3A和下邊的那種組成？（）
A、C4S
B、C4AF
C、C3AF
D、C12A7
5.單項(xiàng)選擇題在無機(jī)非金屬材料生產(chǎn)中，為了后續(xù)工序的順利的進(jìn)行，應(yīng)對所采用的原、燃料進(jìn)行的必要的預(yù)處理。這其中不包括下面的哪一種？（）
A、破碎
B、干燥
C、篩分
D、煅燒
最新試題
下列哪一個(gè)遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）
題型：單項(xiàng)選擇題
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
下列選項(xiàng)中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）
題型：單項(xiàng)選擇題
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
題型：單項(xiàng)選擇題
下列是晶體的是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括（）
題型：單項(xiàng)選擇題
下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向（）
題型：單項(xiàng)選擇題
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
題型：單項(xiàng)選擇題
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。
題型：單項(xiàng)選擇題