單項(xiàng)選擇題多晶材料在高溫時(shí),在恒定應(yīng)力作用下,由于形變不斷增加而導(dǎo)致斷裂稱為()
A、相變斷裂
B、蠕變斷裂
C、擴(kuò)展斷裂
D、應(yīng)力斷裂
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1.單項(xiàng)選擇題絕大部分硫酸鹽對(duì)于硬化水泥漿體都有顯著的侵蝕作用,只有()除外
A、硫酸鋇
B、硫酸亞鐵
C、硫酸鎂
D、硫酸鋁
2.單項(xiàng)選擇題水泥強(qiáng)度是硬化水泥石能承受外力破壞的能力,根據(jù)受力形式不同可分三種,()除外。
A、剪切強(qiáng)度
B、抗壓強(qiáng)度
C、抗拉強(qiáng)度
D、抗折強(qiáng)度
3.單項(xiàng)選擇題水泥體積安定性直接反應(yīng)水泥質(zhì)量的好壞,()不是影響安定性的主要因素。
A、游離氧化鎂
B、游離氧化鈣
C、石膏的摻入量
D、氧化鋁
4.單項(xiàng)選擇題()是指水泥的一種不正常的早期固化或過(guò)早變硬現(xiàn)象。在水泥用水拌和的幾分鐘內(nèi)物料就顯示凝結(jié),攪拌后又可恢復(fù)可塑性。
A、假凝
B、終凝
C、快凝
D、緩凝
5.單項(xiàng)選擇題水在水泥水化以及水泥漿體形成過(guò)程中起著重要作用。按其與固相組成的作用情況,可以分以下幾種類型,()除外
A、結(jié)晶水
B、外加水
C、吸附水
D、自由水
最新試題
下列選項(xiàng)中,對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級(jí)位置在()附近,常見(jiàn)的是少子陷阱。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶穑瑫?huì)有氮取代部分的磷,這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重?fù)焦鑿U料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題