單項(xiàng)選擇題SiHCl3還原法制備晶體硅,在生產(chǎn)過(guò)程中不需要控制()。

A.反應(yīng)溫度在280℃~300℃之間
B.硅粉與HCl在進(jìn)入反應(yīng)爐前要充分干燥
C.晶體生長(zhǎng)速度
D.合成時(shí)加入少量的催化劑,可降低溫度


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1.單項(xiàng)選擇題下面不是制造非晶硅太陽(yáng)電池常用的方法是()。

A.輝光放電法
B.反應(yīng)濺射法
C.化學(xué)氣相沉積法
D.電鍍法

3.單項(xiàng)選擇題電池片表面的鍍膜厚度是利用光學(xué)中的()原理來(lái)減少反射。

A.相長(zhǎng)干涉
B.折射
C.相消干涉
D.光的衍射

4.單項(xiàng)選擇題單晶硅光伏電池表面的絨面結(jié)構(gòu)呈()。

A.三角形
B.圓形
C.倒金字塔形
D.正方形

5.單項(xiàng)選擇題刻蝕工藝會(huì)影響光伏池片電學(xué)參數(shù)中的()。

A.開(kāi)路電壓
B.并聯(lián)電阻
C.短路電流
D.串聯(lián)電阻

最新試題

如果用預(yù)置數(shù)法實(shí)現(xiàn)3秒倒計(jì)時(shí),74LS192預(yù)置數(shù)端輸入應(yīng)該是()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

3位二進(jìn)制加法計(jì)數(shù)器的,計(jì)數(shù)長(zhǎng)度為()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

二極管外接正向電壓,P區(qū)應(yīng)接電源()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

異步計(jì)數(shù)器的計(jì)數(shù)脈沖加到了最低位觸發(fā)器,而其它各位觸發(fā)器都是,依靠相鄰低位觸發(fā)器輸出的進(jìn)位脈沖,采用逐級(jí)傳遞方式進(jìn)行觸發(fā)。

題型:判斷題

二進(jìn)制計(jì)數(shù)器具有分頻的作用,分頻的規(guī)律表現(xiàn)為:5位二進(jìn)制計(jì)數(shù)器實(shí)現(xiàn)()分頻。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

集成運(yùn)放在信號(hào)運(yùn)算中的應(yīng)用電路有()

題型:多項(xiàng)選擇題

6進(jìn)制異步清零,最后一個(gè)計(jì)數(shù)狀態(tài)應(yīng)該為()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

集成運(yùn)放應(yīng)用范圍現(xiàn)已遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出了數(shù)學(xué)運(yùn)算,涉及到了()測(cè)量和自動(dòng)控制等方面

題型:多項(xiàng)選擇題

交流放大電路接入負(fù)載電阻后,對(duì)靜態(tài)工作狀態(tài)無(wú)影響。

題型:判斷題

放大電路靜態(tài)工作點(diǎn)設(shè)置不妥當(dāng),會(huì)產(chǎn)生飽和失真或截止失真。

題型:判斷題